LPE अणुभट्टी कारखान्यासाठी 8 इंच हाफमून भाग
टँटलम कार्बाइड लेपित प्लॅनेटरी रोटेशन डिस्क उत्पादक
चायना सॉलिड SiC एचिंग फोकसिंग रिंग
LPE PE2061S पुरवठादारासाठी SiC कोटेड बॅरल ससेप्टर

टँटलम कार्बाइड कोटिंग

टँटलम कार्बाइड कोटिंग

VeTek सेमीकंडक्टर ही सेमीकंडक्टर उद्योगासाठी टँटलम कार्बाइड कोटिंग मटेरियलची आघाडीची उत्पादक आहे. आमच्या मुख्य उत्पादन ऑफरिंगमध्ये CVD टँटलम कार्बाइड कोटिंग पार्ट, SiC क्रिस्टल ग्रोथ किंवा सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सी प्रोसेससाठी सिंटर्ड TaC कोटिंग पार्ट यांचा समावेश आहे. ISO9001 उत्तीर्ण, VeTek सेमीकंडक्टरचे गुणवत्तेवर चांगले नियंत्रण आहे. VeTek सेमीकंडक्टर चालू संशोधन आणि पुनरावृत्ती तंत्रज्ञानाच्या विकासाद्वारे टँटलम कार्बाइड कोटिंग उद्योगात नाविन्यपूर्ण बनण्यासाठी समर्पित आहे.


मुख्य उत्पादने आहेतटँटलम कार्बाइड कोटिंग डिफेक्टर रिंग, TaC कोटेड डायव्हर्जन रिंग, TaC कोटेड हाफमून भाग, टँटलम कार्बाइड कोटेड प्लॅनेटरी रोटेशन डिस्क (Aixtron G10), TaC कोटेड क्रूसिबल; टीएसी लेपित रिंग; TaC लेपित सच्छिद्र ग्रेफाइट; टँटलम कार्बाइड कोटिंग ग्रेफाइट ससेप्टर; TaC लेपित मार्गदर्शक रिंग; TaC टँटलम कार्बाइड लेपित प्लेट; TaC लेपित वेफर ससेप्टर; टीएसी कोटिंग रिंग; टीएसी कोटिंग ग्रेफाइट कव्हर; TaC लेपित भागइ., शुद्धता 5ppm पेक्षा कमी आहे, ग्राहकांच्या गरजा पूर्ण करू शकते.


TaC कोटिंग ग्रेफाइट उच्च-शुद्धतेच्या ग्रेफाइट सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर टँटलम कार्बाइडच्या बारीक थराने प्रोप्रायटरी केमिकल वेपर डिपॉझिशन (CVD) प्रक्रियेद्वारे कोटिंग करून तयार केले जाते. फायदा खालील चित्रात दर्शविला आहे:


Excellent properties of TaC coating graphite


टँटलम कार्बाइड (TaC) लेपने त्याच्या 3880°C पर्यंत उच्च वितळण्याचा बिंदू, उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ती, कडकपणा आणि थर्मल धक्क्यांचा प्रतिकार यामुळे लक्ष वेधून घेतले आहे, ज्यामुळे ते उच्च तापमान आवश्यकतांसह मिश्रित सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सी प्रक्रियेसाठी एक आकर्षक पर्याय बनले आहे. जसे की Aixtron MOCVD सिस्टीम आणि LPE SiC epitaxy process. PVT पद्धती SiC क्रिस्टल ग्रोथ प्रक्रियेमध्ये देखील याचा विस्तृत उपयोग आहे.


प्रमुख वैशिष्ट्ये:

 ●तापमान स्थिरता

 ●अल्ट्रा उच्च शुद्धता

 ●H2, NH3, SiH4, Si ला प्रतिकार

 ●थर्मल स्टॉकचा प्रतिकार

 ●ग्रेफाइटला मजबूत आसंजन

 ●कॉन्फॉर्मल कोटिंग कव्हरेज

 750 मिमी व्यासापर्यंतचा आकार (चीनमधील एकमेव निर्माता या आकारापर्यंत पोहोचतो)


अर्ज:

 ●वेफर वाहक

 ● प्रेरक हीटिंग ससेप्टर

 ● प्रतिरोधक गरम घटक

 ●सॅटेलाइट डिस्क

 ●शॉवर डोके

 ●मार्गदर्शक रिंग

 ●एलईडी Epi रिसीव्हर

 ●इंजेक्शन नोजल

 ●मास्किंग रिंग

 ● उष्णता ढाल


मायक्रोस्कोपिक क्रॉस-सेक्शनवर टँटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग:


the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating


VeTek सेमीकंडक्टर टँटलम कार्बाइड कोटिंगचे पॅरामीटर:

TaC कोटिंगचे भौतिक गुणधर्म
घनता 14.3 (g/cm³)
विशिष्ट उत्सर्जन 0.3
थर्मल विस्तार गुणांक ६.३ १०-6/के
कडकपणा (HK) 2000 HK
प्रतिकार 1×10-5ओम* सेमी
थर्मल स्थिरता <2500℃
ग्रेफाइटचा आकार बदलतो -10~-20um
कोटिंग जाडी ≥20um ठराविक मूल्य (35um±10um)


TaC कोटिंग EDX डेटा

EDX data of TaC coating


TaC कोटिंग क्रिस्टल स्ट्रक्चर डेटा:

घटक अणु टक्के
पं. १ पं. 2 पं. 3 सरासरी
सी के 52.10 57.41 52.37 53.96
एम 47.90 42.59 47.63 46.04


सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग

सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग

VeTek सेमीकंडक्टर अल्ट्रा प्युअर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पादनांच्या निर्मितीमध्ये माहिर आहे, हे कोटिंग्स शुद्ध ग्रेफाइट, सिरॅमिक्स आणि रेफ्रेक्ट्री मेटल घटकांवर लागू करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत.

आमचे उच्च शुद्धता कोटिंग्स प्रामुख्याने सेमीकंडक्टर आणि इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगांमध्ये वापरण्यासाठी लक्ष्यित आहेत. ते वेफर कॅरिअर्स, ससेप्टर्स आणि हीटिंग एलिमेंट्ससाठी संरक्षणात्मक स्तर म्हणून काम करतात, त्यांना MOCVD आणि EPI सारख्या प्रक्रियांमध्ये आलेल्या संक्षारक आणि प्रतिक्रियाशील वातावरणापासून संरक्षण देतात. या प्रक्रिया वेफर प्रक्रिया आणि उपकरण निर्मितीसाठी अविभाज्य आहेत. याव्यतिरिक्त, आमचे कोटिंग्स व्हॅक्यूम फर्नेस आणि सॅम्पल हीटिंगमधील अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत, जेथे उच्च व्हॅक्यूम, प्रतिक्रियाशील आणि ऑक्सिजन वातावरणाचा सामना करावा लागतो.

VeTek Semiconductor वर, आम्ही आमच्या प्रगत मशीन शॉप क्षमतेसह सर्वसमावेशक उपाय ऑफर करतो. हे आम्हाला ग्रेफाइट, सिरॅमिक्स किंवा रीफ्रॅक्टरी धातू वापरून बेस घटक तयार करण्यास आणि SiC किंवा TaC सिरेमिक कोटिंग्ज घरामध्ये लागू करण्यास सक्षम करते. विविध गरजा पूर्ण करण्यासाठी लवचिकता सुनिश्चित करून, आम्ही ग्राहकांनी पुरवलेल्या भागांसाठी कोटिंग सेवा देखील प्रदान करतो.

आमची सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पादने Si epitaxy, SiC epitaxy, MOCVD प्रणाली, RTP/RTA प्रक्रिया, एचिंग प्रक्रिया, ICP/PSS एचिंग प्रक्रिया, निळ्या आणि हिरव्या एलईडी, UV LED आणि खोल-UV सह विविध LED प्रकारांच्या प्रक्रियेत मोठ्या प्रमाणावर वापरल्या जातात. LED इ., जे LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI इत्यादी उपकरणांशी जुळवून घेतले जाते.


सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंगचे अनेक अद्वितीय फायदे:

Silicon Carbide Coating several unique advantages


VeTek सेमीकंडक्टर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग पॅरामीटर:

CVD SiC कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म
मालमत्ता ठराविक मूल्य
क्रिस्टल स्ट्रक्चर FCC β फेज पॉलीक्रिस्टलाइन, प्रामुख्याने (111) ओरिएंटेड
घनता 3.21 g/cm³
कडकपणा 2500 विकर्स कडकपणा (500 ग्रॅम लोड)
धान्य आकार 2~10μm
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
उष्णता क्षमता 640 J·kg-1·K-1
उदात्तीकरण तापमान 2700℃
फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ 415 MPa RT 4-पॉइंट
तरुणांचे मॉड्यूलस 430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता 300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (CTE) 4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films


वेफर

वेफर


वेफर सब्सट्रेटसेमीकंडक्टर सिंगल क्रिस्टल मटेरियलपासून बनवलेले वेफर आहे. सेमीकंडक्टर उपकरणे तयार करण्यासाठी सब्सट्रेट थेट वेफर उत्पादन प्रक्रियेत प्रवेश करू शकतो किंवा एपिटॅक्सियल वेफर्स तयार करण्यासाठी एपिटॅक्सियल प्रक्रियेद्वारे प्रक्रिया केली जाऊ शकते.


वेफर सब्सट्रेट, सेमीकंडक्टर उपकरणांची मूलभूत आधारभूत रचना म्हणून, डिव्हाइसेसच्या कार्यप्रदर्शन आणि स्थिरतेवर थेट परिणाम करते. सेमीकंडक्टर उपकरण निर्मितीसाठी "पाया" म्हणून, पातळ फिल्मची वाढ आणि लिथोग्राफी यासारख्या उत्पादन प्रक्रियेची मालिका सब्सट्रेटवर चालवणे आवश्यक आहे.


सब्सट्रेट प्रकारांचा सारांश:


 ●सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर: सध्या सर्वात सामान्य सब्सट्रेट मटेरियल, एकात्मिक सर्किट्स (ICs), मायक्रोप्रोसेसर, मेमरी, MEMS डिव्हाइसेस, पॉवर डिव्हाइसेस इत्यादींच्या निर्मितीमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते;


 ●SOI सब्सट्रेट: उच्च-कार्यक्षमता, कमी-पॉवर इंटिग्रेटेड सर्किट्ससाठी वापरले जाते, जसे की उच्च-फ्रिक्वेंसी ॲनालॉग आणि डिजिटल सर्किट्स, RF डिव्हाइसेस आणि पॉवर मॅनेजमेंट चिप्स;


Silicon On Insulator Wafer Product Display

 ●कंपाऊंड सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट्स: गॅलियम आर्सेनाइड सब्सट्रेट (GaAs): मायक्रोवेव्ह आणि मिलिमीटर वेव्ह कम्युनिकेशन उपकरणे, इ. गॅलियम नायट्राइड सब्सट्रेट (GaN): RF पॉवर ॲम्प्लिफायर्स, HEMT, इ. साठी वापरला जातो.सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट (SiC): इलेक्ट्रिक वाहने, पॉवर कन्व्हर्टर आणि इतर उर्जा उपकरणांसाठी वापरलेले इंडियम फॉस्फाइड सब्सट्रेट (InP): लेझर, फोटोडिटेक्टर इ. साठी वापरले जाते;


4H Semi Insulating Type SiC Substrate Product Display


 ●नीलम सब्सट्रेट: LED निर्मिती, RFIC (रेडिओ फ्रिक्वेन्सी इंटिग्रेटेड सर्किट), इ. साठी वापरले जाते;


वेटेक सेमीकंडक्टर हे चीनमधील व्यावसायिक SiC सब्सट्रेट आणि SOI सब्सट्रेट पुरवठादार आहे. आमचे4H अर्ध-इन्सुलेटिंग प्रकार SiC सब्सट्रेटआणि4H सेमी इन्सुलेटिंग प्रकार SiC सब्सट्रेटसेमीकंडक्टर उत्पादन उपकरणांच्या मुख्य घटकांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जातात. 


वेटेक सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर उद्योगासाठी प्रगत आणि सानुकूल करण्यायोग्य वेफर सब्सट्रेट उत्पादने आणि विविध वैशिष्ट्यांचे तांत्रिक समाधान प्रदान करण्यासाठी वचनबद्ध आहे. आम्ही चीनमध्ये तुमचे पुरवठादार होण्यासाठी प्रामाणिकपणे उत्सुक आहोत.


ALD

ALD


Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).


Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.


Atomic layer deposition process:


Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.


Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.


Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.



1st Half-CyclePurge2nd Half-CyclePurge



Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):


1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes


Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.


Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:


PVD technology
CVD technology
ALD technology
Faster deposition rate
Average deposition rate
Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision

Medium film thickness

(depends on the number of reaction cycles)

Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality
The coating has a single directionality
Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity
Average step coverage
Best step coverage
Poor step coverage
\ Dense film without pinholes


Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)








Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.



वैशिष्ट्यीकृत उत्पादने

आमच्याबद्दल

VeTek semiconductor Technology Co., LTD, 2016 मध्ये स्थापित, सेमीकंडक्टर उद्योगासाठी प्रगत कोटिंग सामग्रीचा अग्रगण्य प्रदाता आहे. आमचे संस्थापक, चायनीज ऍकॅडमी ऑफ सायन्सेस' इन्स्टिट्यूट ऑफ मटेरिअल्सचे माजी तज्ज्ञ, यांनी उद्योगासाठी अत्याधुनिक उपाय विकसित करण्यावर लक्ष केंद्रित करून कंपनीची स्थापना केली.

आमच्या मुख्य उत्पादन ऑफरमध्ये समाविष्ट आहेCVD सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंग्ज, टँटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्ज, मोठ्या प्रमाणात SiC, SiC पावडर आणि उच्च-शुद्धता SiC साहित्य. मुख्य उत्पादने म्हणजे SiC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर, प्रीहीट रिंग, TaC कोटेड डायव्हर्शन रिंग, हाफमून पार्ट इ., शुद्धता 5ppm पेक्षा कमी आहे, ग्राहकांच्या गरजा पूर्ण करू शकतात.

नवीन उत्पादन

बातम्या

सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिकमध्ये सिंटरिंग क्रॅकची समस्या कशी सोडवायची? - VeTek सेमीकंडक्टर

सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिकमध्ये सिंटरिंग क्रॅकची समस्या कशी सोडवायची? - VeTek सेमीकंडक्टर

हा लेख प्रामुख्याने सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक्सच्या व्यापक उपयोगाच्या संभाव्यतेचे वर्णन करतो. हे सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक्समधील सिंटरिंग क्रॅकच्या कारणांचे विश्लेषण आणि संबंधित उपायांवर देखील लक्ष केंद्रित करते.

पुढे वाचा
चरण-नियंत्रित एपिटॅक्सियल वाढ म्हणजे काय?

चरण-नियंत्रित एपिटॅक्सियल वाढ म्हणजे काय?

पुढे वाचा
एचिंग प्रक्रियेतील समस्या

एचिंग प्रक्रियेतील समस्या

सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमधील एचिंग तंत्रज्ञानामध्ये अनेकदा लोडिंग इफेक्ट, मायक्रो-ग्रूव्ह इफेक्ट आणि चार्जिंग इफेक्ट यासारख्या समस्या येतात, ज्यामुळे उत्पादनाच्या गुणवत्तेवर परिणाम होतो. सुधारणा उपायांमध्ये प्लाझ्मा घनता ऑप्टिमाइझ करणे, प्रतिक्रिया गॅस रचना समायोजित करणे, व्हॅक्यूम सिस्टम कार्यक्षमता सुधारणे, वाजवी लिथोग्राफी लेआउट डिझाइन करणे आणि योग्य नक्षीकाम मास्क सामग्री आणि प्रक्रिया परिस्थिती निवडणे समाविष्ट आहे.

पुढे वाचा
हॉट प्रेस्ड SiC सिरेमिक म्हणजे काय?

हॉट प्रेस्ड SiC सिरेमिक म्हणजे काय?

उच्च-कार्यक्षमता SiC सिरेमिक तयार करण्यासाठी हॉट प्रेसिंग सिंटरिंग ही मुख्य पद्धत आहे. हॉट प्रेसिंग सिंटरिंगच्या प्रक्रियेमध्ये हे समाविष्ट आहे: उच्च-शुद्धता SiC पावडर निवडणे, उच्च तापमान आणि उच्च दाबाखाली दाबणे आणि मोल्डिंग करणे आणि नंतर सिंटरिंग करणे. या पद्धतीने तयार केलेल्या SiC सिरेमिकमध्ये उच्च शुद्धता आणि उच्च घनतेचे फायदे आहेत आणि ते वेफर प्रक्रियेसाठी ग्राइंडिंग डिस्क आणि उष्णता उपचार उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जातात.

पुढे वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथमध्ये कार्बन-आधारित थर्मल फील्ड सामग्रीचा वापर

सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथमध्ये कार्बन-आधारित थर्मल फील्ड सामग्रीचा वापर

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) च्या प्रमुख वाढीच्या पद्धतींमध्ये PVT, TSSG आणि HTCVD यांचा समावेश आहे, प्रत्येकाचे वेगळे फायदे आणि आव्हाने आहेत. कार्बन-आधारित थर्मल फील्ड मटेरियल जसे की इन्सुलेशन सिस्टम, क्रूसिबल्स, TaC कोटिंग्स आणि सच्छिद्र ग्रेफाइट स्थिरता, थर्मल चालकता आणि शुद्धता प्रदान करून क्रिस्टल वाढ वाढवतात, जे SiC च्या अचूक फॅब्रिकेशन आणि अनुप्रयोगासाठी आवश्यक आहे.

पुढे वाचा
SiC कोटिंगला इतके लक्ष का दिले जाते? - VeTek सेमीकंडक्टर

SiC कोटिंगला इतके लक्ष का दिले जाते? - VeTek सेमीकंडक्टर

SiC मध्ये उच्च कडकपणा, थर्मल चालकता आणि गंज प्रतिरोधकता आहे, ज्यामुळे ते अर्धसंवाहक उत्पादनासाठी आदर्श बनते. CVD SiC कोटिंग रासायनिक वाष्प निक्षेपाद्वारे तयार केली जाते, उच्च थर्मल चालकता, रासायनिक स्थिरता आणि एपिटॅक्सियल वाढीसाठी एक जुळणारी जाळी स्थिरता प्रदान करते. त्याचा कमी थर्मल विस्तार आणि उच्च कडकपणा टिकाऊपणा आणि अचूकता सुनिश्चित करते, ज्यामुळे ते वेफर वाहक, प्रीहीटिंग रिंग आणि बरेच काही यासारख्या अनुप्रयोगांमध्ये आवश्यक बनते. VeTek सेमीकंडक्टर विविध उद्योग गरजांसाठी सानुकूल SiC कोटिंग्जमध्ये माहिर आहे.

पुढे वाचा
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept