SiC लेपित MOCVD ससेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टरचे SiC Coated MOCVD ससेप्टर हे उत्कृष्ट प्रक्रिया, टिकाऊपणा आणि विश्वासार्हता असलेले उपकरण आहे. ते उच्च तापमान आणि रासायनिक वातावरणाचा सामना करू शकतात, स्थिर कार्यप्रदर्शन आणि दीर्घ आयुष्य टिकवून ठेवू शकतात, ज्यामुळे बदलण्याची आणि देखभाल करण्याची वारंवारता कमी होते आणि उत्पादन कार्यक्षमता सुधारते. आमचा MOCVD एपिटॅक्सियल ससेप्टर त्याच्या उच्च घनता, उत्कृष्ट सपाटपणा आणि उत्कृष्ट थर्मल कंट्रोलसाठी प्रसिद्ध आहे, ज्यामुळे ते कठोर उत्पादन वातावरणात पसंतीचे उपकरण बनते. तुमच्या सहकार्यासाठी उत्सुक आहे.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

SiC Coated ची प्रचंड निवड शोधाMOCVD स्वीकारणाराVeTek सेमीकंडक्टरवर चीनकडून. व्यावसायिक विक्रीनंतरची सेवा आणि योग्य किंमत प्रदान करा, सहकार्याची अपेक्षा करा.

VeTek सेमीकंडक्टरचेMOCVD एपिटॅक्सियल ससेप्टर्सउच्च तापमान वातावरण आणि वेफर उत्पादन प्रक्रियेत सामान्य असलेल्या कठोर रासायनिक परिस्थितीचा सामना करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत. अचूक अभियांत्रिकीद्वारे, हे घटक एपिटॅक्सियल रिॲक्टर सिस्टमच्या कठोर आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी तयार केले जातात. आमचे MOCVD एपिटॅक्सियल ससेप्टर्स उच्च-गुणवत्तेच्या ग्रेफाइट सब्सट्रेट्सचे बनलेले आहेतसिलिकॉन कार्बाइड (SiC), ज्यामध्ये केवळ उत्कृष्ट उच्च तापमान आणि गंज प्रतिरोधक क्षमताच नाही तर एकसमान उष्णता वितरण देखील सुनिश्चित करते, जे सातत्यपूर्ण एपिटॅक्सियल फिल्म डिपॉझिशन राखण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

याव्यतिरिक्त, आमच्या सेमीकंडक्टर ससेप्टर्समध्ये उत्कृष्ट थर्मल कार्यप्रदर्शन आहे, जे सेमीकंडक्टर वाढ प्रक्रियेस अनुकूल करण्यासाठी जलद आणि एकसमान तापमान नियंत्रणास अनुमती देते. ते उच्च तापमान, ऑक्सिडेशन आणि गंज यांच्या हल्ल्याचा सामना करण्यास सक्षम आहेत, अगदी आव्हानात्मक ऑपरेटिंग वातावरणात देखील विश्वसनीय ऑपरेशन सुनिश्चित करतात.

याव्यतिरिक्त, SiC कोटेड MOCVD ससेप्टर्स एकसारखेपणावर लक्ष केंद्रित करून डिझाइन केलेले आहेत, जे उच्च-गुणवत्तेचे सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट्स प्राप्त करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे. वेफर पृष्ठभागावर उत्कृष्ट एकल क्रिस्टल वाढ मिळविण्यासाठी सपाटपणाची प्राप्ती आवश्यक आहे.

VeTek Semiconductor वर, उद्योग मानके ओलांडण्याची आमची आवड तितकीच महत्त्वाची आहे जितकी आमच्या भागीदारांसाठी किंमत-प्रभावीतेची आमची वचनबद्धता आहे. सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगच्या सतत बदलत्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी आणि तुमचे ऑपरेशन सर्वात प्रगत साधनांनी सुसज्ज आहे याची खात्री करण्यासाठी आम्ही MOCVD एपिटॅक्सियल ससेप्टर सारखी उत्पादने प्रदान करण्याचा प्रयत्न करतो. आम्ही तुमच्यासोबत दीर्घकालीन भागीदारी तयार करण्यासाठी आणि तुम्हाला दर्जेदार उपाय प्रदान करण्यासाठी उत्सुक आहोत.

चे उत्पादन पॅरामीटर SiC लेपित MOCVD ससेप्टर:

CVD SiC कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म
मालमत्ता	ठराविक मूल्य
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	FCC β फेज पॉलीक्रिस्टलाइन, प्रामुख्याने (111) ओरिएंटेड
घनता	३.२१ ग्रॅम/सेमी³
कडकपणा	2500 विकर्स कडकपणा (500 ग्रॅम लोड)
धान्य आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
उष्णता क्षमता	640 J·kg^-1· के^-1
उदात्तीकरण तापमान	2700℃
फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ	415 MPa RT 4-पॉइंट
तरुणांचे मॉड्यूलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता	300W·m^-1· के^-1
थर्मल विस्तार (CTE)	४.५×१०^-6K^-1