4°बंद अक्ष p-प्रकार SiC वेफर

चीनमधील व्यावसायिक सेमीकंडक्टर उत्पादक म्हणून, VeTek सेमीकंडक्टर 4°ऑफ ॲक्सिस p-प्रकार SiC वेफर म्हणजे 4H सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर्स जे कापताना क्रिस्टलच्या मुख्य क्रिस्टल दिशेपासून (सामान्यतः c-अक्ष) 4° विचलित होतात. पी-टाइप डोपिंग करा. हे उत्पादन सहसा सेमीकंडक्टर उद्योग साखळीतील पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि रेडिओ फ्रिक्वेन्सी (RF) उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये वापरले जाते आणि उत्कृष्ट उत्पादन फायदे आहेत.

ऑफ-एक्सिस कटिंगद्वारे, VeTek सेमीकंडक्टरचे 4°ऑफ अक्ष p-प्रकार SiC वेफर एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीदरम्यान निर्माण होणारे विघटन आणि दोष प्रभावीपणे कमी करू शकते, ज्यामुळे वेफरची गुणवत्ता सुधारते. याव्यतिरिक्त, 4° ऑफ-ॲक्सिस ओरिएंटेशन अधिक एकसमान आणि दोष-मुक्त एपिटॅक्सियल लेयर वाढण्यास मदत करते, एपिटॅक्सियल लेयरची गुणवत्ता सुधारते आणि सामान्यतः उच्च-कार्यक्षमता उपकरणांच्या निर्मितीसाठी योग्य असते.

शिवाय, VeTek सेमीकंडक्टरची 4°ऑफ अक्ष p-प्रकार SiC वेफर उत्पादने वेफरमध्ये अधिक छिद्र वाहक बनवू शकतात आणि स्वीकारकर्ता अशुद्धता (जसे की ॲल्युमिनियम किंवा बोरॉन) डोपिंग करून P-प्रकार सेमीकंडक्टर बनवू शकतात. P-प्रकार 4H-SiC वेफर्स बहुतेकदा पॉवर उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये वापरतात ज्यांना P-प्रकारचा थर आवश्यक असतो. या प्रकारच्या सेमीकंडक्टरमध्ये उत्कृष्ट विद्युत गुणधर्म आहेत.

6H-SiC सारख्या इतर पॉलिमॉर्फच्या तुलनेत,4H-SiCउच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड सामर्थ्य आहे, आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी आणि उच्च-शक्ती परिस्थितीसाठी योग्य आहे. याव्यतिरिक्त, 4H-SiC सामग्रीमध्ये उत्कृष्ट उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-तापमान प्रतिरोध आहे आणि ते कठोर वातावरणात सामान्यपणे कार्य करू शकतात.

2 इंच 4 इंच 4° ऑफ अक्ष p-प्रकार SiC वेफर आकाराशी संबंधित मानके：

6 इंच 4° बंद अक्ष p-प्रकार SiC वेफर आकाराशी संबंधित मानके：

4° बंद अक्ष p-प्रकार SiC वेफर शोध पद्धती आणि शब्दावली：

VeTek सेमीकंडक्टरमध्ये आधीपासूनच 4° ऑफ अक्ष p-प्रकार 4H-SiC सबस्ट्रेट्स 2-6 इंच आहेत.सब्सट्रेट ॲल्युमिनियमसह डोप केलेले आहे आणि निळे दिसते. प्रतिरोधकता 0.1 ते 0.7Ω•cm पर्यंत असते. 

तुमच्याकडे 4° ऑफ एक्सिस p-प्रकार SiC वेफरसाठी उत्पादन आवश्यकता असल्यास, आमचा सल्ला घेण्यासाठी स्वागत आहे.