CVD SiC पॅनकेक ससेप्टर

उत्कृष्ट भौतिक गुणधर्म

VeTek सेमीकंडक्टर CVD SiC Pancake Susceptor उत्कृष्ट टिकाऊपणा आणि कमाल तापमान अनुकूलता सुनिश्चित करण्यासाठी नवीनतम रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) तंत्रज्ञान वापरून तयार केले जाते. त्याचे मुख्य भौतिक गुणधर्म खालीलप्रमाणे आहेत:

● थर्मल स्थिरता: CVD SiC ची उच्च थर्मल स्थिरता उच्च तापमान परिस्थितीत स्थिर कामगिरी सुनिश्चित करते.

● कमी थर्मल विस्तार गुणांक: सामग्रीमध्ये अत्यंत कमी थर्मल विस्तार गुणांक आहे, जे तापमान बदलांमुळे होणारे विकृतीकरण आणि विकृती कमी करते.

● रासायनिक गंज प्रतिकार: उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिरोधकता विविध कठोर वातावरणात उच्च कार्यक्षमता राखण्यास सक्षम करते.

अचूक समर्थन आणि ऑप्टिमाइझ उष्णता हस्तांतरण

VeTekSemi चे पॅनकेक ससेप्टर आधारित SiC कोटेड सेमीकंडक्टर वेफर्स सामावून घेण्यासाठी आणि एपिटॅक्सियल डिपॉझिशन दरम्यान उत्कृष्ट समर्थन प्रदान करण्यासाठी डिझाइन केले आहे. SiC पॅनकेक ससेप्टर हे वेगवेगळ्या तापमान आणि दाबाच्या परिस्थितीत विकृतीकरण आणि विकृती कमी करण्यासाठी प्रगत संगणकीय सिम्युलेशन तंत्रज्ञान वापरून डिझाइन केले आहे. त्याचे विशिष्ट थर्मल विस्तार गुणांक सुमारे 4.0 × 10^ आहे^-6/°C, याचा अर्थ उच्च-तापमान वातावरणातील पारंपारिक सामग्रीपेक्षा तिची मितीय स्थिरता लक्षणीयरीत्या चांगली आहे, ज्यामुळे वेफर जाडीची (सामान्यत: 200 मिमी ते 300 मिमी) सुसंगतता सुनिश्चित होते.

याव्यतिरिक्त, CVD पॅनकेक ससेप्टर 120 W/m·K पर्यंत थर्मल चालकता सह, उष्णता हस्तांतरणात उत्कृष्ट आहे. ही उच्च थर्मल चालकता त्वरीत आणि प्रभावीपणे उष्णता चालवू शकते, भट्टीमध्ये तापमान एकसमानता वाढवू शकते, एपिटॅक्सियल डिपॉझिशन दरम्यान समान उष्णता वितरण सुनिश्चित करू शकते आणि असमान उष्णतेमुळे होणारे डिपॉझिशन दोष कमी करू शकते. डिपॉझिशन गुणवत्ता सुधारण्यासाठी ऑप्टिमाइझ केलेले उष्णता हस्तांतरण कार्यप्रदर्शन महत्त्वपूर्ण आहे, जे प्रभावीपणे प्रक्रियेतील चढउतार कमी करू शकते आणि उत्पन्न सुधारू शकते.

या डिझाइन आणि कार्यप्रदर्शन ऑप्टिमायझेशनद्वारे, VeTek सेमीकंडक्टरचे CVD SiC पॅनकेक ससेप्टर सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी एक भक्कम पाया प्रदान करते, कठोर प्रक्रिया परिस्थितीत विश्वासार्हता आणि सातत्य सुनिश्चित करते आणि उच्च सुस्पष्टता आणि गुणवत्तेसाठी आधुनिक सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या कठोर आवश्यकता पूर्ण करते.

CVD SIC फिल्म क्रिस्टल स्ट्रक्चर

CVD SiC कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म

CVD SiC कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म
मालमत्ता	ठराविक मूल्य
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	FCC β फेज पॉलीक्रिस्टलाइन, प्रामुख्याने (111) ओरिएंटेड
घनता	3.21 g/cm³
कडकपणा	2500 विकर्स कडकपणा (500 ग्रॅम लोड)
धान्य आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
उष्णता क्षमता	640 J·kg-1· के-1
उदात्तीकरण तापमान	2700℃
फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ	415 MPa RT 4-पॉइंट
तरुणांचे मॉड्यूलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
थर्मल चालकता	300W·m-1· के-1
थर्मल विस्तार (CTE)	४.५×१०-6K-1