डिस्क रिसीव्हर

वेटेक सेमीकंडक्टरचे ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर, प्रगत सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेसाठी उच्च-कार्यक्षमता उत्पादन. आमचे ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर उद्योगाच्या मागणीच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी आणि अपवादात्मक कामगिरी आणि विश्वासार्हता प्रदान करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे.

हा ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर AIX G5 प्लॅनेटरी रिॲक्टर प्लॅटफॉर्मसाठी OEM आहे.

GaN-on-Si MOCVD चा वापर LED epitaxial उत्पादनासाठी केला जातो आणि Aixtron G5 अणुभट्टी MOCVD प्लॅटफॉर्मचे उत्पन्न आणि एकसमानता सुधारते. पाच 200mm वेफर्सवर पूर्णपणे फिरवलेला सममितीय एकसमान पॅटर्न, प्रमाणित जाडीचा सिलिकॉन सब्सट्रेट वापरून आणि वेफर बेंडिंग वर्तन नियंत्रित करून सिलिकॉन फॅब्रिकेशनसाठी काय आवश्यक आहे ते औपचारिक केले.

GaN-on-Si MOCVD साठी वेटेक सेमीकंडक्टरचा उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर, प्रगत सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेसाठी एक विश्वासार्ह आणि किफायतशीर उपाय.

आमचे उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर विशेषतः GaN-on-Si MOCVD प्रक्रियेच्या आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. त्याच्या अपवादात्मक थर्मल स्थिरता आणि उष्णता प्रतिरोधकतेसह, ते सामान्यत: 800°C ते 1100°C पर्यंत मागणी असलेल्या तापमान परिस्थितीला तोंड देऊ शकते, डिपॉझिशन प्रक्रियेदरम्यान इष्टतम कामगिरी सुनिश्चित करते.

आमच्या डिस्क ससेप्टरमध्ये वापरलेली उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट सामग्री उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिरोध प्रदान करते, ज्यामुळे ते अमोनिया (NH3) आणि सामान्यतः GaN-on-Si MOCVD मध्ये वापरल्या जाणाऱ्या सेंद्रिय धातूच्या पूर्ववर्तीशी सुसंगत होते. हे अतिरिक्त SiC कोटिंग्जची गरज काढून टाकते, कामगिरीशी तडजोड न करता उत्पादन खर्च कमी करते.

वेटेक सेमीकंडक्टरचा उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर गुणवत्तेशी तडजोड न करता एक किफायतशीर उपाय ऑफर करतो. त्याची विश्वासार्हता, टिकाऊपणा आणि GaN-on-Si MOCVD प्रक्रियांशी सुसंगतता यामुळे सेमीकंडक्टर उत्पादकांसाठी ते पसंतीचे पर्याय बनतात. तुमच्या GaN-on-Si MOCVD उत्पादन गरजांसाठी उच्च-कार्यक्षमता ग्रेफाइट डिस्क ससेप्टर्स वितरीत करण्यासाठी Vetek सेमीकंडक्टरवर विश्वास ठेवा.

उत्पादन दुकाने:

सेमीकंडक्टर चिप एपिटॅक्सी उद्योग साखळीचे विहंगावलोकन: