MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर उच्च-गुणवत्तेचे बनलेले आहेग्रेफाइट, ज्याची थर्मल स्थिरता आणि उत्कृष्ट थर्मल चालकता (सुमारे 120-150 W/m·K) साठी निवडली जाते. ग्रेफाइटचे अंतर्निहित गुणधर्म आतील कठोर परिस्थितींना तोंड देण्यासाठी एक आदर्श सामग्री बनवतातMOCVD अणुभट्ट्या. त्याचे कार्यप्रदर्शन सुधारण्यासाठी आणि त्याचे सेवा आयुष्य वाढविण्यासाठी, ग्रेफाइट ससेप्टरला काळजीपूर्वक सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) च्या थराने लेपित केले जाते.

MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर हा प्रमुख घटक वापरला जातोरासायनिक वाफ जमा करणे (CVD)आणिमेटल ऑर्गेनिक केमिकल वाफ डिपॉझिशन (MOCVD) प्रक्रिया. त्याचे मुख्य कार्य सिलिकॉन किंवा सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर्सला समर्थन देणे आणि गरम करणे आणि उच्च तापमान वातावरणात एकसमान गॅस जमा करणे सुनिश्चित करणे आहे. सेमीकंडक्टर प्रक्रियेत हे एक अपरिहार्य उत्पादन आहे.

सेमीकंडक्टर प्रक्रियेमध्ये MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टरचे अनुप्रयोग:

वेफर सपोर्ट आणि हीटिंग:

MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टरमध्ये केवळ शक्तिशाली सपोर्ट फंक्शन नाही तर ते प्रभावीपणे गरम देखील करू शकतेवेफररासायनिक वाफ जमा प्रक्रियेची स्थिरता सुनिश्चित करण्यासाठी समान रीतीने. डिपॉझिशन प्रक्रियेदरम्यान, SiC कोटिंगची उच्च थर्मल चालकता वेफरच्या प्रत्येक भागात उष्णता ऊर्जा त्वरित हस्तांतरित करू शकते, स्थानिक जास्त गरम होणे किंवा अपुरे तापमान टाळू शकते, ज्यामुळे रासायनिक वायू वेफरच्या पृष्ठभागावर समान रीतीने जमा करता येईल याची खात्री केली जाते. हा एकसमान हीटिंग आणि डिपॉझिशन इफेक्ट वेफर प्रक्रियेची सुसंगतता मोठ्या प्रमाणात सुधारतो, प्रत्येक वेफरच्या पृष्ठभागाची जाडी एकसमान बनवते आणि दोष दर कमी करते, सेमीकंडक्टर उपकरणांचे उत्पादन उत्पादन आणि कार्यप्रदर्शन विश्वसनीयता आणखी सुधारते.

एपिटॅक्सी वाढ:

मध्येMOCVD प्रक्रिया, SiC लेपित वाहक हे एपिटॅक्सी वाढ प्रक्रियेतील प्रमुख घटक आहेत. ते विशेषत: सिलिकॉन आणि सिलिकॉन कार्बाईड वेफर्सला आधार देण्यासाठी आणि गरम करण्यासाठी वापरले जातात, हे सुनिश्चित करण्यासाठी की रासायनिक वाष्प अवस्थेतील सामग्री वेफरच्या पृष्ठभागावर एकसमान आणि अचूकपणे जमा केली जाऊ शकते, ज्यामुळे उच्च-गुणवत्तेची, दोष-मुक्त पातळ फिल्म संरचना तयार होते. SiC कोटिंग्स केवळ उच्च तापमानालाच प्रतिरोधक नसतात, परंतु दूषित आणि गंज टाळण्यासाठी जटिल प्रक्रिया वातावरणात रासायनिक स्थिरता देखील राखतात. म्हणून, SiC कोटेड वाहक उच्च-परिशुद्धता सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या एपिटॅक्सी वाढ प्रक्रियेत महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात जसे की SiC पॉवर उपकरणे (जसे की SiC MOSFET आणि डायोड), LEDs (विशेषतः निळे आणि अल्ट्राव्हायोलेट LEDs), आणि फोटोव्होल्टेइक सौर पेशी.

गॅलियम नायट्राइड (GaN)आणि गॅलियम आर्सेनाइड (GaAs) एपिटॅक्सी:

उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि कमी थर्मल विस्तार गुणांक यांच्यामुळे GaN आणि GaAs एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीसाठी SiC कोटेड वाहक एक अपरिहार्य पर्याय आहेत. त्यांची कार्यक्षम थर्मल चालकता एपिटॅक्सियल वाढीदरम्यान समान रीतीने उष्णता वितरीत करू शकते, हे सुनिश्चित करते की जमा केलेल्या सामग्रीचा प्रत्येक स्तर नियंत्रित तापमानात एकसमान वाढू शकतो. त्याच वेळी, SiC च्या कमी थर्मल विस्तारामुळे ते अत्यंत तापमानातील बदलांमध्ये आयामी स्थिर राहण्यास अनुमती देते, प्रभावीपणे वेफर विकृत होण्याचा धोका कमी करते, ज्यामुळे एपिटॅक्सियल लेयरची उच्च गुणवत्ता आणि सुसंगतता सुनिश्चित होते. हे वैशिष्ट्य SiC-कोटेड वाहकांना उच्च-फ्रिक्वेंसी, उच्च-पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे (जसे की GaN HEMT उपकरणे) आणि ऑप्टिकल कम्युनिकेशन्स आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे (जसे की GaAs-आधारित लेसर आणि डिटेक्टर) तयार करण्यासाठी एक आदर्श पर्याय बनवते.

VeTek सेमीकंडक्टरMOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर दुकाने: