TaC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टरचा TaC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर ग्रेफाइट भागांच्या पृष्ठभागावर टँटलम कार्बाइड कोटिंग तयार करण्यासाठी रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) पद्धत वापरतो. ही प्रक्रिया सर्वात परिपक्व आहे आणि सर्वोत्तम कोटिंग गुणधर्म आहेत. TaC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर ग्रेफाइट घटकांचे सेवा आयुष्य वाढवू शकतो, ग्रेफाइट अशुद्धतेचे स्थलांतर रोखू शकतो आणि एपिटॅक्सीची गुणवत्ता सुनिश्चित करू शकतो. VeTek Semiconductor तुमच्या चौकशीसाठी उत्सुक आहे.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

नवीनतम विक्री, कमी किंमत आणि उच्च-गुणवत्तेचे TaC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर खरेदी करण्यासाठी आमच्या कारखान्यात VeTek सेमीकंडक्टरमध्ये येण्यासाठी तुमचे स्वागत आहे. आम्ही तुमच्या सहकार्यासाठी उत्सुक आहोत.

टँटलम कार्बाइड सिरॅमिक मटेरियल वितळण्याचा बिंदू 3880℃ पर्यंत, हा एक उच्च वितळणारा बिंदू आहे आणि कंपाऊंडची चांगली रासायनिक स्थिरता आहे, त्याचे उच्च तापमान वातावरण अद्याप स्थिर कार्यप्रदर्शन राखू शकते, याव्यतिरिक्त, त्यात उच्च तापमान प्रतिरोध, रासायनिक गंज प्रतिरोध, चांगले रसायन आहे. आणि कार्बन सामग्री आणि इतर वैशिष्ट्यांसह यांत्रिक सुसंगतता, ते एक आदर्श ग्रेफाइट सब्सट्रेट संरक्षणात्मक कोटिंग सामग्री बनवते. टँटलम कार्बाइड कोटिंग ग्रेफाइट घटकांना गरम अमोनिया, हायड्रोजन आणि सिलिकॉन वाष्प आणि वितळलेल्या धातूच्या कठोर वापराच्या वातावरणात प्रभावीपणे संरक्षित करू शकते, ग्रेफाइट घटकांचे सेवा आयुष्य लक्षणीय वाढवू शकते आणि ग्रेफाइटमधील अशुद्धतेचे स्थलांतर रोखू शकते, एपिटॅक्सी आणि क्रिस्टल ग्रोथची गुणवत्ता सुनिश्चित करणे. हे प्रामुख्याने ओले सिरेमिक प्रक्रियेत वापरले जाते.

ग्रेफाइटच्या पृष्ठभागावर टँटलम कार्बाइड कोटिंगसाठी रासायनिक वाफ जमा करणे (CVD) ही सर्वात परिपक्व आणि इष्टतम तयारी पद्धत आहे.

TaC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरसाठी CVD TaC कोटिंग पद्धत:

कोटिंग प्रक्रियेमध्ये TaCl5 आणि प्रोपीलीनचा वापर अनुक्रमे कार्बन स्त्रोत आणि टँटलम स्रोत म्हणून केला जातो आणि उच्च तापमान गॅसिफिकेशननंतर टँटॅलम पेंटाक्लोराईड वाष्प प्रतिक्रिया चेंबरमध्ये आणण्यासाठी वाहक वायू म्हणून आर्गॉनचा वापर केला जातो. लक्ष्य तापमान आणि दाब अंतर्गत, पूर्ववर्ती सामग्रीची वाफ ग्रेफाइट भागाच्या पृष्ठभागावर शोषली जाते आणि कार्बन स्त्रोत आणि टँटलम स्त्रोत यांचे विघटन आणि संयोजन यासारख्या जटिल रासायनिक अभिक्रियांची मालिका घडते. त्याच वेळी, पृष्ठभागावरील प्रतिक्रियांची मालिका जसे की अग्रदूताचा प्रसार आणि उप-उत्पादनांचे पृथक्करण देखील समाविष्ट आहे. शेवटी, ग्रेफाइट भागाच्या पृष्ठभागावर एक दाट संरक्षणात्मक थर तयार होतो, जो अत्यंत पर्यावरणीय परिस्थितीत ग्रेफाइट भागाला स्थिर होण्यापासून संरक्षण करतो. ग्रेफाइट सामग्रीच्या अनुप्रयोगाची परिस्थिती लक्षणीयरीत्या विस्तारली आहे.

TaC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरचे उत्पादन मापदंड:

TaC कोटिंगचे भौतिक गुणधर्म
घनता	14.3 (g/cm³)
विशिष्ट उत्सर्जन	0.3
थर्मल विस्तार गुणांक	६.३ १०-६/के
कडकपणा (HK)	2000 HK
प्रतिकार	1×10-5 Ohm*cm
थर्मल स्थिरता	<2500℃
ग्रेफाइटचा आकार बदलतो	-10~-20um
कोटिंग जाडी	≥20um ठराविक मूल्य (35um±10um)