> बातम्या > उद्योग बातम्या

उद्योग बातम्या

3C SiC चा विकास इतिहास

सतत तांत्रिक प्रगती आणि सखोल यंत्रणा संशोधनाद्वारे, 3C-SiC heteroepitaxial तंत्रज्ञान सेमीकंडक्टर उद्योगात अधिक महत्त्वाची भूमिका बजावेल आणि उच्च-कार्यक्षमतेच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासास प्रोत्साहन देईल अशी अपेक्षा आहे.

पुढे वाचा

ALD अणु स्तर जमा करण्याची कृती

अवकाशीय ALD, अवकाशीय पृथक अणू स्तर निक्षेप. वेफर वेगवेगळ्या पोझिशन्समध्ये फिरते आणि प्रत्येक पोझिशनवर वेगवेगळ्या अग्रदूतांच्या संपर्कात येते. खालील आकृती पारंपारिक ALD आणि अवकाशीय पृथक ALD मधील तुलना आहे.

पुढे वाचा

टँटलम कार्बाइड तंत्रज्ञानाची प्रगती, SiC एपिटॅक्सियल प्रदूषण 75% ने कमी?

अलीकडे, जर्मन संशोधन संस्था Fraunhofer IISB ने टँटलम कार्बाइड कोटिंग तंत्रज्ञानाच्या संशोधन आणि विकासामध्ये एक प्रगती केली आहे, आणि एक स्प्रे कोटिंग सोल्यूशन विकसित केले आहे जे CVD डिपॉझिशन सोल्यूशनपेक्षा अधिक लवचिक आणि पर्यावरणास अनुकूल आहे, आणि त्याचे व्यावसायिकीकरण केले गेले आहे.

पुढे वाचा

सेमीकंडक्टर उद्योगात 3D प्रिंटिंग तंत्रज्ञानाचा अन्वेषणात्मक अनुप्रयोग

वेगवान तंत्रज्ञानाच्या विकासाच्या युगात, 3D प्रिंटिंग, प्रगत उत्पादन तंत्रज्ञानाचा एक महत्त्वाचा प्रतिनिधी म्हणून, हळूहळू पारंपारिक उत्पादनाचा चेहरा बदलत आहे. तंत्रज्ञानाची सतत परिपक्वता आणि खर्च कमी केल्याने, 3D प्रिंटिंग तंत्रज्ञानाने एरोस्पेस, ऑटोमोबाईल उत्पादन, वैद्यकीय उपकरणे आणि आर्किटेक्चरल ड......

पुढे वाचा

सिलिकॉन (Si) एपिटॅक्सी तयारी तंत्रज्ञान

विविध सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या वाढत्या उत्पादनाच्या गरजा केवळ सिंगल क्रिस्टल मटेरियल पूर्ण करू शकत नाहीत. 1959 च्या शेवटी, सिंगल क्रिस्टल मटेरियल ग्रोथ टेक्नॉलॉजीचा एक पातळ थर - एपिटॅक्सियल ग्रोथ विकसित झाला.

पुढे वाचा

8-इंच सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस तंत्रज्ञानावर आधारित

उच्च-तापमान, उच्च-फ्रिक्वेंसी, उच्च-शक्ती आणि उच्च-व्होल्टेज उपकरणे बनवण्यासाठी सिलिकॉन कार्बाइड ही एक आदर्श सामग्री आहे. उत्पादन कार्यक्षमता सुधारण्यासाठी आणि खर्च कमी करण्यासाठी, मोठ्या आकाराच्या सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट्सची तयारी ही एक महत्त्वाची विकास दिशा आहे.

पुढे वाचा

<...6 7 8 9 10 >