Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्स

VeTek Semiconductor हा चीनमधील आघाडीचा Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्स निर्माता आणि नवोन्मेषक आहे. आम्ही अनेक वर्षांपासून SiC कोटिंग मटेरियलमध्ये विशेषीकृत आहोत. आम्ही Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्स ऑफर करतो जे विशेषतः Aixtron G5 MOCVD अणुभट्टीसाठी डिझाइन केलेले आहे. हे Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्स किट सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी त्याच्या इष्टतम आकार, सुसंगतता आणि उच्च उत्पादकतेसाठी एक बहुमुखी आणि कार्यक्षम उपाय आहे. आमच्या चौकशीसाठी आपले स्वागत आहे.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

व्यावसायिक निर्माता म्हणून, VeTek सेमीकंडक्टर तुम्हाला Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्स जसे की SiC कोटेड ग्रेफाइट भाग, TaC कोटेड ग्रेफाइट भाग, सॉलिड SiC/CVD SiC, क्वार्ट्ज भाग प्रदान करू इच्छितो. आमच्या चौकशीसाठी आपले स्वागत आहे.

Aixtron G5 ही कंपाऊंड सेमीकंडक्टरसाठी डिपॉझिशन सिस्टम आहे. AIX G5 MOCVD पूर्णपणे स्वयंचलित काडतूस (C2C) वेफर हस्तांतरण प्रणालीसह उत्पादन ग्राहक सिद्ध AIXTRON प्लॅनेटरी रिॲक्टर प्लॅटफॉर्म वापरते. उद्योगातील सर्वात मोठी एकल पोकळी आकार (8 x 6 इंच) आणि सर्वात मोठी उत्पादन क्षमता प्राप्त केली. हे उत्कृष्ट उत्पादन गुणवत्ता राखून उत्पादन खर्च कमी करण्यासाठी डिझाइन केलेले लवचिक 6 - आणि 4-इंच कॉन्फिगरेशन ऑफर करते. उबदार भिंतीवरील ग्रहांची CVD प्रणाली एकाच भट्टीमध्ये अनेक प्लेट्सच्या वाढीद्वारे दर्शविली जाते आणि आउटपुट कार्यक्षमता जास्त असते. VeTek सेमीकंडक्टर Aixtron G5 MOCVD सिस्टमसाठी ॲक्सेसरीजचा संपूर्ण संच ऑफर करतो, Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्समध्ये या ॲक्सेसरीज असतात:

थ्रस्ट पीस, अँटी-रोटेट	वितरण रिंग	कमाल मर्यादा	धारक, कमाल मर्यादा, उष्णतारोधक	कव्हर प्लेट, बाहेरील
कव्हर प्लेट, आतील	कव्हर रिंग	डिस्क	पुलडाउन कव्हर डिस्क	पिन
पिन-वॉशर	प्लॅनेटरी डिस्क	कलेक्टर इनलेट रिंग गॅप	एक्झॉस्ट कलेक्टर अप्पर	शटर
सपोर्टिंग रिंग	सपोर्ट ट्यूब

Aixtron G5,EPI susceptor,MOCVD susceptor

CVD SiC कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म:

CVD SiC कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म
मालमत्ता	ठराविक मूल्य
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	FCC β फेज पॉलीक्रिस्टलाइन, प्रामुख्याने (111) ओरिएंटेड
घनता	3.21 g/cm³
कडकपणा	2500 विकर्स कडकपणा (500 ग्रॅम लोड)
धान्य आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
उष्णता क्षमता	640 J·kg-1·K-1
उदात्तीकरण तापमान	2700℃
फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ	415 MPa RT 4-पॉइंट
तरुणांचे मॉड्यूलस	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
औष्मिक प्रवाहकता	300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (CTE)	4.5×10-6K-1