SiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट भाग

व्यावसायिक सेमीकंडक्टर निर्माता आणि पुरवठादार म्हणून, VeTek सेमीकंडक्टर SiC एपिटॅक्सियल ग्रोथ सिस्टमसाठी आवश्यक असलेले विविध ग्रेफाइट घटक प्रदान करू शकतात. हे SiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट भाग एपिटॅक्सियल अणुभट्टीच्या गॅस इनलेट सेक्शनसाठी डिझाइन केलेले आहेत आणि सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेला अनुकूल करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात. VeTek Semiconductor ग्राहकांना सर्वात स्पर्धात्मक किमतीत सर्वोत्तम दर्जाची उत्पादने देण्याचा नेहमीच प्रयत्न करत असतो. VeTek Semiconductor चीनमध्ये तुमचा दीर्घकालीन भागीदार बनण्यास उत्सुक आहे.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

SiC एपिटॅक्सियल ग्रोथ फर्नेसच्या रिॲक्शन चेंबरमध्ये, SiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट भाग गॅस प्रवाह वितरण, थर्मल फील्ड कंट्रोल आणि प्रतिक्रिया वातावरणातील एकरूपता ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी मुख्य घटक आहेत. ते सहसा SiC कोटिंगचे बनलेले असतातग्रेफाइट,अर्ध-चंद्राच्या आकारात डिझाइन केलेले, प्रतिक्रिया कक्षाच्या वरच्या आणि खालच्या ग्रेफाइट भागांमध्ये, सब्सट्रेट क्षेत्राभोवती स्थित आहे.

SiC epitaxial growth furnace schematic diagram

•अप्पर हाफमून ग्रेफाइट भाग: प्रतिक्रिया कक्षाच्या वरच्या भागात, गॅस इनलेटच्या जवळ स्थापित केले जाते, प्रतिक्रिया वायूला सब्सट्रेट पृष्ठभागाकडे वाहण्यासाठी मार्गदर्शन करण्यासाठी जबाबदार असते.

•लोअर हाफमून ग्रेफाइट भाग: रिॲक्शन चेंबरच्या तळाशी स्थित, सामान्यत: सब्सट्रेट धारकाच्या खाली, गॅस प्रवाहाची दिशा नियंत्रित करण्यासाठी आणि थर्मल फील्ड आणि सब्सट्रेटच्या तळाशी गॅस वितरण ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी वापरला जातो.

दरम्यानSiC epitaxy प्रक्रिया, वरचा अर्ध-चंद्र ग्रेफाइट भाग सब्सट्रेटवर समान रीतीने वितरीत होण्यासाठी गॅस प्रवाहाचे मार्गदर्शन करण्यास मदत करतो, गॅसचा थेट थराच्या पृष्ठभागावर परिणाम होण्यापासून प्रतिबंधित करतो आणि स्थानिक ओव्हरहाटिंग किंवा एअर फ्लो टर्ब्युलेंस होऊ शकतो. खालच्या अर्ध-चंद्राचा ग्रेफाइट भाग वायूला सब्सट्रेटमधून सुरळीतपणे वाहू देतो आणि नंतर डिस्चार्ज केला जातो, तर अशांततेमुळे एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीच्या एकरूपतेवर परिणाम होतो.

थर्मल फील्ड रेग्युलेशनच्या दृष्टीने，SiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट भाग आकार आणि स्थितीद्वारे प्रतिक्रिया कक्षातील उष्णता समान रीतीने वितरित करण्यास मदत करतात. हाफमून ग्रेफाइटचा वरचा भाग हीटरची तेजस्वी उष्णता प्रभावीपणे परावर्तित करू शकतो हे सुनिश्चित करण्यासाठी सब्सट्रेटवरील तापमान स्थिर आहे. खालच्या अर्ध-चंद्राच्या ग्रेफाइटच्या भागाचीही अशीच भूमिका आहे, ज्यामुळे अति तापमानातील फरक टाळण्यासाठी उष्णतेच्या वहनाद्वारे सब्सट्रेटच्या खाली उष्णता समान रीतीने वितरीत करण्यात मदत होते.

SiC कोटिंग घटकांना उच्च तापमानाला प्रतिरोधक आणि थर्मलली प्रवाहकीय बनवते, म्हणून VeTek सेमीकंडक्टरच्या अर्धचंद्राच्या भागांची सेवा दीर्घकाळ असते. काळजीपूर्वक डिझाइन केलेले, SiC epitaxy साठी आमचे अर्ध-चंद्र ग्रेफाइट भाग अनेक एपिटॅक्सियल रिॲक्टर्समध्ये अखंडपणे समाकलित केले जाऊ शकतात, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेची एकूण कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुधारण्यास मदत होते. तुमच्या SiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट भागांना जे काही हवे असेल, कृपया VeTek सेमीकंडक्टरशी संपर्क साधा.

VeteksemSiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट पार्ट्सची दुकाने: